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Nexperia、初のSiC MOSFETにより、産業(yè)用アプリケーションにおけるパワースイッチングの安全性、堅牢性、信頼性を向上

Nexperia、初のSiC MOSFETにより、産業(yè)用アプリケーションにおけるパワースイッチングの安全性、堅牢性、信頼性を向上

十一月 30, 2023

Nijmegen -- 業(yè)界をリードする性能を備えた1200Vのディスクリート製品で
世界のエネルギー転換を加速

Nexperiaは初のシリコン?カーバイド(SiC)MOSFETとして3ピンTO-247に封止されたRDS(on)が40mΩと80mΩの2種類の1200Vディスクリート製品を発表しました。Nexperiaはシリーズ第一弾としてNSF040120L3A0とNSF080120L3A0を発売し、その後もSiC MOSFETポートフォリオを急速に拡充し、さまざまなRDS(on)値の製品をスルーホールならびに表面実裝パッケージにてご用意する予定です。

今回発表した製品は電気自動車(EV)用充電ステーション、無停電電源裝置(UPS)、太陽光発電/エネルギー貯蔵システム(ESS)用インバータなどの産業(yè)用アプリケーションにおいて、高性能SiC MOSFETの供給の増加を求める市場の聲に対応するものです。

Nexperiaのシニアディレクター 兼 SiC製品グループ擔(dān)當(dāng)責(zé)任者のKatrin Feurleは「今回発表した第1弾製品にはワイドバンドギャップ製品のサプライヤの増加が待たれていた市場に真のイノベーションをお屆けしたいというNexperiaと三菱電機の意図が込められています」と述べ、さらに「Nexperiaは優(yōu)れたRDS(on)の溫度安定性、ボディ?ダイオードの低電圧降下、厳格なしきい値電圧仕様、非常にバランスのとれたゲート電荷比など、寄生ターンオンに対する安全性を高めるさまざまなパラメータにおいて非常に優(yōu)れた性能を持つSiC MOSFETデバイスを提供可能です。三菱電機とのパートナーシップの下、最高品質(zhì)のSiC MOSFETを製造するというNexperiaのコミットメントはまだ始まったばかりです。両社は今後もSiCデバイスの性能を著実に向上させていきます」と語りました。

 

三菱電機半導(dǎo)體?デバイス事業(yè)本部のパワーデバイス製作所長の巖上徹氏は「Nexperiaとのパートナーシップの第一弾として、この新しいSiC MOSFETを発表できることを嬉しく思います」と述べ、さらに

「三菱電機はSiCパワー半導(dǎo)體で卓越したノウハウを蓄積しており、他社にはない優(yōu)れたバランスの特性を持つ製品を提供しています」と語りました。

RDS(on)は導(dǎo)通損に影響するため、SiC MOSFETにおいて重要な性能パラメータとされています。

NexperiaではRDS(on)が現(xiàn)在市販されている多くのSiCデバイスの性能の制約要因であると考え、革新的なプロセス技術(shù)を使用して+25℃~+175℃の動作溫度範(fàn)囲でRDS(on)公稱値の増加がわずか38%という、業(yè)界でもトップクラスの溫度安定性を持つ新しいSiC MOSFETを開発しました。その點が現(xiàn)在市販されている多くのSiCデバイスに対する差別化要因となります。

NexperiaのSiC MOSFETは全ゲート電荷量(QG)も非常に低く、ゲート?ドライブ損失を低減するという優(yōu)位點もあります。さらに、Nexperiaではゲート電荷のバランスをとることで、QGSに対するQGDの比率が極めて低くしており、寄生ターンオンに対するデバイスの耐性を高めています。

SiC MOSFETの正の溫度係數(shù)に加えて、NexperiaのSiC MOSFETはデバイス間のしきい値電圧VGS(th)の分散が非常に小さく、デバイスを並列動作させた場合の靜的條件と動的條件で非常にバランスのとれた通電性能を発揮します。さらに、ボディ?ダイオードの順方向電圧(VSD)が低いため、デバイスの堅牢性と効率を高める一方で、非同期整流とフリーホイール動作のデッドタイム要件が緩和されます。

 

これらのディスクリートSiC MOSFETをサポートするSPICEモデルと熱シミュレーション?モデルは現(xiàn)在ダウンロード可能です。Nexperiaでは今後、車載グレードのMOSFETの発売も予定しています。

NSF040120L3A0とNSF080120L3A0の量産は開始済みです。SiC MOSFETの全製品のサンプルについては、Nexperiaの営業(yè)擔(dān)當(dāng)者にお問い合わせください。

NexperiaのSiC MOSFETについて、詳細(xì)は以下のサイトをご覧ください。

https://www.nexperia.com/sic-mosfets

Nexperiaについて

オランダに本社を置くNexperiaはヨーロッパの豊かな歴史を持ち、歐州、アジア、米國で15,000人以上の従業(yè)員を擁するグローバル半導(dǎo)體企業(yè)です。Nexperiaは必要不可欠な半導(dǎo)體の開発?製造におけるエキスパートとして、自動車、産業(yè)からモバイル、コンシューマ向けアプリケーションまで、世界のほぼすべての電子機器の基本機能を?qū)g現(xiàn)する部品を提供しています。世界のお客様に向けてサービスを提供しており、製品の年間出荷臺數(shù)は1,000億以上に及びます。Nexperiaの製品はプロセス、サイズ、消費電力、性能における効率性のベンチマークとして高い評価を得ています。Nexperiaは革新性、効率性、持続可能性、厳しい業(yè)界要件への対応に注力しており、そのことは充実したIPポートフォリオ、製品ラインナップの拡充、IATF16949、ISO9001、ISO14001、ISO45001規(guī)格への準(zhǔn)拠に現(xiàn)れています。

Nexperia: Efficiency wins.

プレスリリースに関するお問い合わせ先

株式會社ピー?ディ?エスインターナショナル
〒102-0083 東京都千代田區(qū)麹町3-2-6 麹町本多ビル2A
Tel: 03-3288-7264 Fax: 03-3288-6936
Email: nexperia_pr@pds-international.com
※在宅勤務(wù)を?qū)g施中のため、お問い合わせはメールあるいは
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