Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實現(xiàn)更高功率密度
五月 27, 2021Nijmegen -- 領(lǐng)先的SOA和雪崩特性提高了耐用性和可靠性
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET,該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝,適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應(yīng)用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件,更重要的是,它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外,這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能,從而提高了耐用性和可靠性。
Nexperia產(chǎn)品市場經(jīng)理Neil Massey評論道:“新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結(jié)硅技術(shù)與成熟的LFPAK銅夾片技術(shù)相結(jié)合,后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。低RDS(on)能夠讓我們將更多芯片封入在封裝中,從而提高功率密度,縮小器件管腳尺寸。”
這些新型功率MOSFET的尺寸僅為8 x 8 x 1.7 mm,具有領(lǐng)先的線性模式/安全工作區(qū)域(SOA)特性,可在大電流條件下安全可靠地開關(guān)工作。在1 ms、20 VDS的工作條件下,由于芯片和封裝的組合,SOA為35 A,而在10 ms、20 VDS的工作條件下,此時封裝將起主導(dǎo)作用,SOA為17 A。這些數(shù)據(jù)優(yōu)于競品1.5倍至2倍。這些器件還提供最佳單脈沖雪崩額定值(EAS) 2.3 J以及超強ID電流額定值500 A,與其他競品不同的是,該值是測量得出的極限,而非理論上的極限。
憑借Nexperia的8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET在尺寸和性能方面的優(yōu)勢,設(shè)計人員能夠用一個新型LFPAK88替換兩個并行老式器件,從而簡化制造和提高可靠性。符合AEC-Q101標準的BUK7S0R5-40H器件提供超出車規(guī)標準要求兩倍的可靠性,適合制動、助力轉(zhuǎn)向、電池防反保護、e-fuse、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機控制應(yīng)用。工業(yè)PSMNR55-40SSH MOSFET適合電動工具、電器、風扇、電動自行車、滑板車和輪椅中的電池隔離、電流限制、e-fuse、電機控制、同步整流和負載開關(guān)應(yīng)用。
有關(guān)更多信息,包括產(chǎn)品規(guī)范和數(shù)據(jù)手冊,請訪問www.nexperia.com/lfpak88。 需詳細了解LFPAK88銅夾片封裝的獨特構(gòu)造,請觀看https://bit.ly/3yd47xQ
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Nexperia,作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專家,其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨,每年可交付900多億件產(chǎn)品,產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴苛標準。其產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面獲得行業(yè)廣泛認可,擁有先進的小尺寸封裝技術(shù),可有效節(jié)省功耗及空間。
憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗,Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù),并在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認證。
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