Nexperia采用堅固封裝的AEC-Q101 Trench 9 MOSFET能夠節(jié)省空間、提供高性能和耐用性
九月 18, 2017奈梅亨 -- 采用LFPAK56/56E封裝的超結(jié)MOSFET可將RDS(on)降低30%
世界上應(yīng)用范圍最廣、符合汽車行業(yè)標準的Power-SO8 MOSFET現(xiàn)在的應(yīng)用范圍更為廣泛
Nexperia(原恩智浦標準產(chǎn)品事業(yè)部)今天宣布推出全新Trench 9功率MOSFET系列,主要應(yīng)用于汽車行業(yè)。公司將低壓超結(jié)技術(shù)與先進的封裝能力相結(jié)合,提供具備高性能和耐用性的器件。五年前,公司推出了世界上應(yīng)用范圍最廣、符合汽車行業(yè)標準的Power-SO8 MOSFET。目前,Nexperia正在擴大這一產(chǎn)品組合,以包括超低RDS(on)的器件,從而滿足眾多典型汽車應(yīng)用日益增長的高功率密度需求。全新Trench 9器件均符合AEC-Q101標準,并在關(guān)鍵可靠性測試(包括溫度循環(huán)、高溫柵極偏壓、高溫反向偏壓和間歇運行壽命)中超過了相應(yīng)國際汽車標準的兩倍。
LFPAK56E是Nexperia汽車應(yīng)用LFPAK封裝系列產(chǎn)品中的最新創(chuàng)新產(chǎn)品。LFPAK56E是受歡迎的LFPAK56封裝的增強版本,具有優(yōu)化的引線框架和封裝設(shè)計,可使RDS(on)和功率密度提高30%。功率密度的這一改良使得Trench 9 LFPAK56 MOSFET可以用于以前只能使用D²PAK和D²PAK-7的應(yīng)用中,能夠顯著地節(jié)省PCB空間。
此外,與競爭技術(shù)相比,Nexperia的超結(jié)技術(shù)可提供更好的雪崩和SOA(安全操作區(qū)域)功能,確保關(guān)鍵器件即使在故障條件下仍然能夠生存。傳統(tǒng)上,大多數(shù)供應(yīng)商不太會推薦用于單次或重復(fù)雪崩應(yīng)用的TrenchMOS技術(shù)。然而,Trench 9技術(shù)是專門設(shè)計用于應(yīng)對苛刻的應(yīng)用和故障條件以提供卓越的單次和重復(fù)雪崩性能,而Nexperia的Trench 9 MOSFET數(shù)據(jù)手冊與公司以前所有的TrenchMOS系列產(chǎn)品一樣,包括單次和重復(fù)雪崩評級。
Nexperia的汽車MOSFET產(chǎn)品營銷經(jīng)理Norman Stapelberg評論道:“為了促進自動駕駛,汽車制造商正在要求許多關(guān)鍵應(yīng)用(如動力轉(zhuǎn)向和制動)使用雙重冗余電路。一級子系統(tǒng)供應(yīng)商面臨的挑戰(zhàn)是將額外的電源組件添加到其模塊中,而不增加整體PCB或模塊尺寸。我們的Trench 9超結(jié)技術(shù)與我們的LFPAK56和LFPAK56E封裝能力的獨特組合使Nexperia具備性能和可靠性優(yōu)勢,并且減少占用空間。這樣,使客戶能夠添加雙重冗余所需的附加器件,而不會顯著增加總PCB面積。”
應(yīng)用包括用于動力轉(zhuǎn)向、傳輸控制、ABS、ESC、泵(水、油和燃料)、風(fēng)扇轉(zhuǎn)速控制、電池反接保護和DC/DC轉(zhuǎn)換器的有刷和無刷電機控制。目前處于樣品階段。
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Nexperia(原恩智浦標準產(chǎn)品事業(yè)部)是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商,公司于2017年初開始獨立運營。Nexperia注重效率,生產(chǎn)穩(wěn)定可靠的半導(dǎo)體器件,年產(chǎn)量高達850億件。我們廣泛的產(chǎn)品系列符合汽車行業(yè)的嚴苛標準。Nexperia工廠生產(chǎn)的微型封裝業(yè)內(nèi)領(lǐng)先,不僅具有較高的功率與熱效率,還提供同類最佳的品質(zhì)。 五十多年來,Nexperia一直為全球各地的大型公司提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,并在亞洲、歐洲和美國擁有11,000名員工,公司擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合,并獲得了ISO9001、ISO/TS16949、ISO14001和OHSAS18001認證。
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