Nexperia， 分立器件、邏輯器件和MOSFET器件全球領(lǐng)導(dǎo)者，今日宣布采用Trench 11技術(shù)實現(xiàn)具有史上最低RDS(on)的NextPower S3 MOSFET，該項突破并不影響其他重要參數(shù)，例如漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)域(SOA)或柵極電荷QG。

很多應(yīng)用均需要超低RDS(on)，例如ORing、熱插拔操作、同步整流、電機控制與電池保護等，以便降低I²R損耗并提高效率。然而，具備類似RDS(on)值的一些同類器件，由于縮小晶圓單元間隔，其SOA（評估MOSFET的耐受性）和ID(max))額定電流需要降額。Nexperia的PSMNR58-30YLH MOSFET的最大RDS(on)僅0.67 m?，最大額定漏極電流提升至380A。該參數(shù)對電機控制應(yīng)用尤為重要，因為電機堵轉(zhuǎn)的瞬間會產(chǎn)生超大電涌，MOSFET必須可以承受這些電涌，才能確保安全可靠運行。一些競爭對手僅提供計算出的ID(max)，但Nexperia產(chǎn)品實測持續(xù)電流能力高達380A，并且100%最終生產(chǎn)測試的持續(xù)電流值高達190A。

該器件支持LFPAK56 (Power-SO8)和LFPAK33 (Power33)封裝，二者均采用獨特的銅夾結(jié)構(gòu)，可吸收熱應(yīng)力，提升質(zhì)量和可靠性。PSMNR58-30YLH采用LFPAK56封裝，這是Nexperia的4引腳Power-SO8封裝，安裝尺寸僅30 mm2，間距1.27 mm。

Nexperia的Power MOSFET產(chǎn)品經(jīng)理Steven Waterhouse表示：“Nexperia結(jié)合其獨有的NextPowerS3超結(jié)技術(shù)與LFPAK 封裝，提供了具有低RDS(on)、高ID(max)額定電流的MOSFET，同時不影響其SOA等級、質(zhì)量和可靠性。這使新器件充分滿足要求高性能、高可靠性和高容錯性的應(yīng)用需求。”其中包括無刷直流(BLDC)電機控制（全橋式三相拓撲）、ORing服務(wù)器電源、熱插拔操作和同步整流、電池保護、手機快速充電和直流負荷開關(guān)。

如需有關(guān)新款低RDS(on) MOSFET的更多信息（包括產(chǎn)品規(guī)格和數(shù)據(jù)手冊），請訪問https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/seeking-the-perfect-power-switch.html

關(guān)于Nexperia

Nexperia（原恩智浦標準產(chǎn)品事業(yè)部）是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初開始獨立運營。Nexperia注重效率，生產(chǎn)穩(wěn)定可靠的半導(dǎo)體器件，年產(chǎn)量高達900億件。我們廣泛的產(chǎn)品系列符合汽車行業(yè)的嚴苛標準。Nexperia工廠生產(chǎn)的微型封裝業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，不僅具有較高的功率與熱效率，還提供同類最佳的品質(zhì)。
五十多年來，Nexperia一直為全球各地的大型公司提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，并在亞洲、歐洲和美國擁有11,000名員工，公司擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了ISO 9001、IATF 16949、ISO 14001和OHSAS 18001認證。

Nexperia：效率致勝。

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