Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行
四月 27, 2021奈梅亨 -- 功率GaN解決方案可以減少器件數(shù)量、縮小外形尺寸并降低系統(tǒng)成本
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比,新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS),特別是必須滿足80 PLUS®鈦金級效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。
全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封裝,對于給定RDS(on)值,芯片尺寸縮小36%,具有更好的穩(wěn)定性和效率。級聯(lián)配置無需復(fù)雜的驅(qū)動電路,加快了產(chǎn)品上市速度。該器件在硬開關(guān)和軟開關(guān)電路中均具有出色的性能,為設(shè)計(jì)人員提供極大的靈活性。
Nexperia GaN戰(zhàn)略市場總監(jiān)Dilder Chowdhury解釋說:“鈦金級是80 PLUS®規(guī)格中最嚴(yán)苛的,滿載條件下要求達(dá)到>91%的效率(半載條件下>96%)。對于2 kW及更高功率的服務(wù)器電源應(yīng)用,使用傳統(tǒng)硅器件來實(shí)現(xiàn)這種性能水平,電路設(shè)計(jì)復(fù)雜而具有挑戰(zhàn)性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡潔的無橋圖騰柱PFC電路,使用更少的器件,并能減少尺寸和系統(tǒng)成本。”
Nexperia GAN041-650WSB GaN FET現(xiàn)已大量供貨。
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設(shè)計(jì)人員可以在5月3日至7日舉行的PCIM Digital Days期間訪問Nexperia的展區(qū),了解Nexperia GaN FET的實(shí)際應(yīng)用。https://pcim.mesago.com
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Nexperia,作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專家,其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨,每年可交付900多億件產(chǎn)品,產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可,擁有先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù),可有效節(jié)省功耗及空間。
憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗(yàn),Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù),并在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認(rèn)證。
Nexperia:效率致勝。
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