新聞稿
Nexperia(安世半導體)宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術
新一代氮化鎵技術針對汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應用;新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK
閱讀更多Nexperia的鍺化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、熱穩(wěn)定性,能夠節(jié)省空間
符合AEC-Q101標準的120 V、150 V和200 V設備兼具肖特基和快速恢復二極管的最佳屬性
閱讀更多安世半導體CEO Frans Scheper退休 張學政就任安世半導體CEO
2020年3月24日,Nexperia對外宣布,Nexperia首席執(zhí)行官Frans ...
閱讀更多Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設計
領先的汽車咨詢公司在技術演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認證的GaN FET器件
閱讀更多Nexperia 針對汽車以太網推出具有開創(chuàng)性 并且符合 OPEN Alliance 標準的硅基 ...
分立元件、MOSFET 元件及模擬和邏輯 IC 的專業(yè)制造商 Nexperia,今天宣布針對 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽車以太網系統(tǒng)推出業(yè)界領先且符合 OPEN ...
閱讀更多安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產品,籍此擴展市場領先的低RDS(on) MOSFET性能
同時優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷
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