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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

新聞稿

新聞稿

Nexperia推出適用于汽車應(yīng)用中高速接口的新型ESD保護(hù)器件
  • 新聞稿
四月 20, 2021

Nexperia推出適用于汽車應(yīng)用中高速接口的新型ESD保護(hù)器件

用于汽車多媒體和視頻鏈路應(yīng)用的高性能4通道ESD保護(hù),提供出色的信號(hào)完整性

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Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達(dá)成深度合作
  • 新聞稿
三月 16, 2021

Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達(dá)成深度合作

滿足新能源汽車動(dòng)力系統(tǒng)不斷提升的技術(shù)需求

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Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列,推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品
  • 新聞稿
二月 23, 2021

Nexperia擴(kuò)展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列,推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的半橋封裝產(chǎn)品

節(jié)省空間的LFPAK56D半橋產(chǎn)品可以幫助動(dòng)力系統(tǒng)、電機(jī)控制和DC/DC應(yīng)用減少60%的寄生電感并改善散熱性能

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Nexperia計(jì)劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出
  • 新聞稿
二月 09, 2021

Nexperia計(jì)劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出

通過新投資支持全球戰(zhàn)略,滿足不斷增長(zhǎng)的功率半導(dǎo)體需求并提升GaN工藝技術(shù)

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Nexperia發(fā)布用于高速數(shù)據(jù)線路的緊湊型“二合一”保護(hù)器件
  • 新聞稿
二月 03, 2021

Nexperia發(fā)布用于高速數(shù)據(jù)線路的緊湊型“二合一”保護(hù)器件

面向USB3.2和HDMI2.1的出色ESD和系統(tǒng)穩(wěn)健性

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Nexperia首次推出 用于48 V汽車和其他更高電壓總線電路的80 V RET
  • 新聞稿
一月 12, 2021

Nexperia首次推出 用于48 V汽車和其他更高電壓總線電路的80 V RET

器件可完全避免尖峰和脈沖的影響

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Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個(gè)周期測(cè)試的 可靠重復(fù)雪崩性能
  • 新聞稿
十二月 09, 2020

Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個(gè)周期測(cè)試的 可靠重復(fù)雪崩性能

雙MOSFET器件通過節(jié)省空間、減少器件數(shù)量和提高可靠性,簡(jiǎn)化汽車電磁閥控制電路。

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Nexperia建立新的特定型應(yīng)用FET類別以優(yōu)化性能
  • 新聞稿
十月 21, 2020

Nexperia建立新的特定型應(yīng)用FET類別以優(yōu)化性能

“ASFET”采用專為特定應(yīng)用量身定制的MOSFET參數(shù)

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Nexperia推出首款帶可焊性側(cè)面、采用DFN封裝的LED驅(qū)動(dòng)器
  • 新聞稿
十月 12, 2020

Nexperia推出首款帶可焊性側(cè)面、采用DFN封裝的LED驅(qū)動(dòng)器

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的DFN2020D-6器件可節(jié)省90%PCB空間;可焊性側(cè)面可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)并提高可靠性

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